北京大学应用物理与技术研究中心

高能量密度物理数值模拟教育部重点实验室

杨荣贵（北京大学工学部能源与资源工程系）

时 间：2025年9月25日（周四）12:20

地  点：北京大学工学院1号楼210会议室

报告内容摘要：

随着电子器件特征尺度的减小与芯片功能的增强，局部热流密度高达1 kW/cm2（每平方厘米千瓦 级），芯片与电子系统的散热面临着前所未有的挑战。深刻理解半导体材料与器件的微观产热机理、电-热 输运和界面热阻等对电子器件的热管理至关重要。本报告将着重介绍其课题组在微纳尺度热输运的理论与 实验研究的一些进展和对芯片热管理的一些见解与展望：1）利用第一性原理计算和深度学习等计算方法， 研究声子-声子及电子-声子相互作用，精确预测半导体材料的热导率、电子迁移率及电子-声子之间的热驰 豫过程；2）在实验方面，基于时域热反射法(TDTR)测量，利用变光斑法、椭圆光斑法、双频率法能够准确 测定如SiC、Ga2O3等第三、四代半导体的各向异性热导率张量、薄膜热导率及界面热阻。

报告人简历：

杨荣贵博士,北京大学工学部讲席教授。杨荣贵于2006年获得麻省理工学院（MIT）机械工程系博士学 位，师从陈刚院士。自2006年1月起，杨荣贵博士在美国科罗拉多大学博尔德校区机械工程系任职13年，历 任助理教授、副教授（提前两年获得终身教职）、终身正教授。2018年回国，任华中科技大学能源与动力 工程学院二级教授。 2024年5月起入职北京大学能源与资源工程系任讲席教授。杨荣贵博士深耕于传热学与 能源领域，长期从事电子材料与器件热输运机制和热管理、太阳能光热综合利用与辐射制冷等的前沿基础 研究与技术研发，取得了系统性的创新成果。迄今为止已发表包括4篇Science (3篇在国内发表)和1篇Review of Modern Physics在内的280多篇期刊论文。截止至2025年8月，Web of Science总引用33000余次（他引32000 余次），H指数88；Google Scholar 总引用43000余次，H指数97, 近一年度引用6000次。杨荣贵博士于2008年 入选《科技评论》评选的35位35周岁以下的“世界顶尖青年发明家”，2009年获得美国科学基金委杰出青年 教授奖，2010年获得美国机械工程师学会Bergles-Rohsenow传热学青年学者奖，2017年获评“全球十大物理 突破”，于2020年度获得国际热科学纪念奖,2021年起连年名列科睿唯安“全球高被引科学家”和爱斯维尔“中 国高被引科学家”。

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